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HN1C07F
 型号：  HN1C07F
 标记/丝印/代码/打字：  46
 厂家：  TOSHIBA
 封装：  SOT-163/SM6/SOT-26
 批号：  11+ROHS
 库存数量：  0
 所属分类：  三极管Bipolar Junction Transistors(BJT)
  复合三极管Complex Bipolar Transistor
    NPN+NPN
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HN1C07F 46 的参数
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) 50V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) 50V
集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) 500mA
截止频率fT Transtion Frequency(fT) 300MHz
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) 70~240
管压降VCE（sat） Collector-Emitter Saturation Voltage 100mV
耗散功率Pc Power Dissipation 300mW
Description & Applications Features ? TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) ? Excellent Currrent gain(hFE )linearity : hFE(2) =25 (min) at VCE = 6V IC = 400mA ? Audio Frequency Small Power Amplifier Applications Driver Stage AmplifierApplications ,Switching applications
描述与应用 特点 ?东芝晶体管的硅NPN外延型（PCT工艺） ?优秀的现水平增益（HFE）线性度：HFE（2）=25（分钟）VCE=6V IC=400毫安 ?小功率音频放大器应用驱动阶段放大器应用，开关应用
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