SSM5H16TU KE3 的参数 |
| MOSFET 类型
Type |
N沟道 N-Channel |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
30V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
12V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
1.9A |
| 源漏极导通电阻Rds(on)
Drain-Source On-State Resistance |
133m?@ VGS = 4V, ID = 1A |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
0.4~1.0V |
| DIODE 类型
Type |
肖特基二极管SBD Schottky Barrier Diodes |
| 反向电压Vr
Reverse Voltage |
30V |
| 平均整流电流Io
Average Rectified Current |
800mA/0.8A |
| 最大正向压降VF
Forward Voltage(Vf) |
0.45VV@IF=800mA |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
800mW/0.8W |
| Description & Applications |
Silicon N Channel MOS Type (U-MOSII)/Silicon Epitaxial Schottky Barrier Diode DC-DC Converter ? Combined Nch MOSFET and Schottky Diode into one Package. ? Low RDS (ON) and Low VF |
| 描述与应用 |
硅N沟道MOS型（U-MOSII）/硅外延肖特基二极管 DC-DC转换器 结合N沟道MOSFET和肖特基二极管封装成一个。 ?低RDS（ON）和低VF |
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