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SY2303BDS-T1-E3
 型号：  SY2303BDS-T1-E3
 标记/丝印/代码/打字：  L3
 厂家：  VISHAY
 封装：  SOT-23/SC-59
 批号：  11+NOPB
 库存数量：  16003
 所属分类：  场效应管FET
  MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel
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SY2303BDS-T1-E3 L3 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage -30V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 20V
最大漏极电流Id Drain Current -1.4A
源漏极导通电阻Rds Drain-Source On-State Resistance 0.150Ω @-1.7A,-10V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage -1.0--3.0V
耗散功率Pd Power Dissipation 900mW/0.9W
Description & Applications P-Channel, 30-V (D-S) MOSFET
描述与应用 P沟道30-V（D-S）的MOSFET
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