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SI2305ADS-T1-GE3
 型号:  SI2305ADS-T1-GE3
 标记/丝印/代码/打字:  5AA
 厂家:  VISHAY
 封装:  SOT-23/SC-59
 批号:  10+NOPB
 库存数量:  0
 所属分类:  场效应管FET
  MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel
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SI2305ADS-T1-GE3 5AA 的参数

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage -8V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 8V
最大漏极电流Id Drain Current -5.4A
源漏极导通电阻Rds Drain-Source On-State Resistance 0.032Ω @-4.1A,-10V
开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage -0.45V-0.8V
耗散功率Pd Power Dissipation 1.7W
Description & Applications FEATURES ? TrenchFET Power MOSFET ? 100 % Rg Tested ? 100 % UIS Tested
描述与应用 Power MOSFET ? 100 % Rg Tested ? 100 % UIS Tested
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