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MMDT5551
 型号：  MMDT5551
 标记/丝印/代码/打字：  K4N
 厂家：  DIODES
 封装：  SOT-363
 批号：  05+
 库存数量：  120
 所属分类：  三极管Bipolar Junction Transistors(BJT)
  复合三极管Complex Bipolar Transistor
    NPN+NPN
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MMDT5551 K4N 的参数
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) 180V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) 160V
集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) 200mA
截止频率fT Transtion Frequency(fT) 100~300MHz
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) 80~250
管压降VCE（sat） Collector-Emitter Saturation Voltage 200mV
耗散功率Pc Power Dissipation 200mW
Description & Applications Features ? DUAL NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR ? Epitaxial Planar Die Construction ? Complementary PNP Type Available (MMDT5401) ? Ideal for Medium Power Amplification and Switching ? Ultra-Small Surface Mount Package
描述与应用 特点 ?双NPN小信号表面贴装晶体管 ?外延平面电路小片建设 ?互补PNP类型（MMDT5401） ?非常适于中等功率放大和开关 ?超小型表面贴装封装
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