SMBT3906S S2A 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
-40V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
-40V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
-200mA |
| Q1基极输入电阻R1
Input Resistance(R1) |
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| Q1基极-发射极输入电阻R2
Base-Emitter Resistance(R2) |
100~300 |
| Q1电阻比(R1/R2)
Q1 Resistance Ratio |
-400mV |
| Q2基极输入电阻R1
Input Resistance(R1) |
250mW |
| Q2基极-发射极输入电阻R2
Base-Emitter Resistance(R2) |
Features ?PNP Silicon Switching Transistor Array ?High DC current gain: 0.1mA to 100mA ?Low collector-emitter saturation voltage ?Two ( galvanic) internal isolated Transistors with good matching in one package ?Complementary type: SMBT3904S (NPN) |
| Q2电阻比(R1/R2)
Q2 Resistance Ratio |
特点 ?PNP硅开关晶体管阵列 ?高直流电流增益：0.1mA至100mA的 ?低集电极 - 发射极饱和电压 ?两个（电流）的内部分离晶体管在一个封装中具有良好的匹配？ ?互补类型：SMBT3904S (NPN) |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
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| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
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| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
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| Description & Applications |
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| 描述与应用 |
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