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热门查询： MMz TC7USB221WBG MN11 ZSH5M TK11233CM TK11233CMI TK11233CMIL EXCML16A270U S-1132B33-M5 DSC20 BZD27C13P-GS NFR21GD1004702L P1005 LEM3225 uPA803 R1180Q151B RN5RZ33A S-818A50AUC DTZTT1 3N1
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PMMT491A
 型号：  PMMT491A
 标记/丝印/代码/打字：  9AW
 厂家：  NXP/PHILIPS
 封装：  SOT-23/SC-59
 批号：  06+ROHS
 库存数量：  3100
 所属分类：  三极管Bipolar Junction Transistors(BJT)
  NPN
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PMMT491A 9AW 的参数
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) 40V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) 40V
集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) 1A
截止频率fT Transtion Frequency(fT) 150MHz
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) 900
管压降VCE（sat） Collector-Emitter Saturation Voltage 200mV~500mV
耗散功率Pc Power Dissipation 250mW/0.25W
Description & Applications NPN BISS transistor FEATURES ? High current (max. 1 A) ? Low collector-emitter saturation voltage ensures reduced power consumption. APPLICATIONS ? Battery powered units where high current and low power consumption are important. DESCRIPTION NPN BISS (Breakthrough In Small Signal) transistor in a SOT23 plastic package.
描述与应用 NPN BISS晶体管 特点 ?高电流（最大1 A） ?低集电极 - 发射极饱和电压确保 降低功耗。 应用 ?电池供电的设备，如高电流和低功耗 消耗是重要的。 说明 NPN突破性小信号（BISS）晶体管的 SOT23塑料包装。
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 相关型号列表
型号 标记/丝印/代码 厂家 批号 封装 数量 描述 详细资料
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