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APM2014NUC
 型号：  APM2014NUC
 标记/丝印/代码/打字：  APM2014
 厂家：  茂达
 封装：  TO-252/D-PAK
 批号：  06+
 库存数量：  1190
 所属分类：  场效应管FET
  MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel
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APM2014NUC APM2014 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 20V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 16V
最大漏极电流Id Drain Current 40A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance 0.014Ω/Ohm @10A,4.5V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage 1.3V
耗散功率Pd Power Dissipation 50W
Description & Applications Features 20V/40A, RDS(ON)=12mW (typ.) @ VGS=4.5V RDS(ON)=18mW (typ.) @ VGS=2.5V ? Super High Dense Cell Design ? Reliable and Rugged ? Lead Free Available (RoHS Compliant)
描述与应用 20V/40A， RDS（ON）=12MW（典型值）@ VGS= 4.5V RDS（ON）=18mW功率（典型值@VGS=2.5V ?超级高密度电池设计 ?可靠耐用 ?铅（符合RoHS）
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