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BC847S
 型号：  BC847S
 标记/丝印/代码/打字：  1C
 厂家：  SIEMENS
 封装：  SOT-363
 批号：  05+
 库存数量：  600
 所属分类：  三极管Bipolar Junction Transistors(BJT)
  复合三极管Complex Bipolar Transistor
    NPN+NPN
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BC847S 1C 的参数
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) 50V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) 45V
集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) 200mA
截止频率fT Transtion Frequency(fT) 200MHz
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) 110~630
管压降VCE（sat） Collector-Emitter Saturation Voltage 250mV
耗散功率Pc Power Dissipation 300mW
Description & Applications Features ? NPN Multi-Chip General Purpose Amplifier
描述与应用 特点 ?NPN多芯片通用放大器
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