2SC5345UY EY 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
30V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
20V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
20mA |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
550MHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
120~240 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
<300mV/0.3V |
| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
150mW/0.15W |
| Description & Applications |
NPN SILICON TRANSISTOR Description ? RF amplifier Features ? High current transition frequency fT=550MHz(Typ.), [VCE=6V, IE=-1mA] ? Low output capacitance : Cob=1.4pF(Typ.) [VCB=6V, IE=0] ? Low base time constant and high gain ? Excellent noise response |
| 描述与应用 |
NPN硅晶体管 描述 ?RF放大器 特点 ?高电流转换频率 ??????FT =550MHz的，VCE=6V，IE=1毫安] ?低输出电容： ??????COB=1.4pF[VCB =6V，IE = 0] 基数较低的时间常数和高增益 ?优异的噪声响应 |
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