MMDT3904-7 K6N 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
60V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
40V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
200mA |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
300MHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
100~300 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
300mV |
| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
200mW |
| Description & Applications |
Features ? DUAL NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR ? Epitaxial Planar Die Construction ? Ideal for Low Power Amplification and Switching ? Ultra-Small Surface Mount Package ? Lead Free/RoHS Compliant (Note 2) ? "Green" Device (Note 3 and 4) |
| 描述与应用 |
特点 ?双NPN小信号表面贴装晶体管 ?外延平面电路小片建设 ?适用于低功率放大和开关 ?超小型表面贴装封装 ?无铅/ RoHS规定（注2） ?“绿色”设备（注3和4） |
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