SSV1BC847BPDW1T1 BF 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
-50V/50V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
-45V/45V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
-100mA/100mA |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
100MHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
200~475 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
-250mA/250mA |
| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
380mW |
| Description & Applications |
Features ? Dual General Purpose Transistors ? AEC?Q101 Qualified and PPAP Capable ? S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements ? These Devices are Pb?Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant* |
| 描述与应用 |
点 ?双通用晶体管 ?通过AEC-Q101认证和PPAP能力 ?S汽车和其他应用程序需要独特的前缀网站和控制变更要求 ?这些器件是无铅，无卤素免费/ BFR免费，并RoHS标准 |
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