SSM5G02TU KED 的参数 |
| MOSFET 类型
Type |
P沟道 P-Channel |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
-12V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
-12V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
-1A |
| 源漏极导通电阻Rds(on)
Drain-Source On-State Resistance |
-240m?@ VGS = -2.5V, ID = -500mA |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
-0.4~-1.1V |
| DIODE 类型
Type |
肖特基二极管SBD Schottky Barrier Diodes |
| 反向电压Vr
Reverse Voltage |
12V |
| 平均整流电流Io
Average Rectified Current |
500mA/0.5A |
| 最大正向压降VF
Forward Voltage(Vf) |
0.37V@IF=500mA |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
800mW/0.8W |
| Description & Applications |
Silicon P Channel MOS Type (U-MOSII)/Silicon Epitaxial Schottky Planar Diode Feature DC-DC Converter ? Combined Pch MOSFET and Schottky Diode into one Package. ? Low RDS (ON) and Low VF |
| 描述与应用 |
硅P沟道MOS类型（U-MOSII）/硅外延平面肖特基二极管 特点 DC-DC转换器 ?结合成一个封装的P沟道MOSFET和肖特基二极管。 ?低RDS（ON）和低VF |
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