BC807DS N2 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
-50V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
-45V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
-500mA |
| Q1基极输入电阻R1
Input Resistance(R1) |
80MHz |
| Q1基极-发射极输入电阻R2
Base-Emitter Resistance(R2) |
160~400 |
| Q1电阻比(R1/R2)
Q1 Resistance Ratio |
-700mV |
| Q2基极输入电阻R1
Input Resistance(R1) |
370mW |
| Q2基极-发射极输入电阻R2
Base-Emitter Resistance(R2) |
Features ? PNP general purpose double transistor ? High current (500 mA) ? 600 mW total power dissipation ? Replaces two SOT23 packaged transistors on same PCB area. APPLICATIONS ? General purpose switching and amplification ? Push-pull amplifiers ? Multi-phase stepper motor drivers. |
| Q2电阻比(R1/R2)
Q2 Resistance Ratio |
特点 ?PNP通用双晶体管 ?高电流（500毫安） ?600 mW的总功耗 ?替换两个SOT23封装的晶体管相同的PCB面积。 应用 ?通用开关和放大 ?推挽放大器 ?多相步进电机驱动器 |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
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| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
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| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
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| Description & Applications |
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| 描述与应用 |
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