HMBT4403XLT1 2T 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
-40V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
?40V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
?600mA/- 0.6A |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
200MHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
100~300 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter SaturationVoltage |
-750mV/-0.75V |
| 耗散功率Pc
PoWer Dissipation |
225mW/0.225W |
| Description & Applications |
PNP epitaxial planar transistor Description The HMBT4403 is designed for general purpose applications requiring high breakdown voltages. |
| 描述与应用 |
PNP外延平面晶体管 描述 HMBT4403是专为一般用途的应用，要求高的击穿电压。 |
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