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PDTA123JE
 型号：  PDTA123JE
 标记/丝印/代码/打字：  27
 厂家：  NXP/PHILIPS
 封装：  SOT-523/SC-75
 批号：  10+NOPB
 库存数量：  15000
 所属分类：  三极管Bipolar Junction Transistors(BJT)
  带阻尼PNPPNP Bipolar Digital Transistor (BRT)
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PDTA123JE 27 的参数
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) -50V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) -50V
集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) -100mA/-0.1A
基极输入电阻R1 Input Resistance(R1) 2.2KΩ/Ohm
基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2) 47KΩ/Ohm
电阻比(R1/R2) Resistance Ratio 0.047
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) 100
截止频率fT Transtion Frequency(fT)
耗散功率Pc Power Dissipation 0.15W/150mW
Description & Applications FEATURES ? PNP resistor-equipped transistors ? Built-in bias resistors ? Simplified circuit design ? Reduction of component count ? Reduced pick and place costs. APPLICATIONS ? General purpose switching and amplification ? Inverter and interface circuits ? Circuit driver.
描述与应用 特点 ?PNP电阻配备晶体管 ?内置偏置电阻 ?简化电路设计 ?减少元件数量 ?减少取放成本。 应用 ?通用开关和放大 ?逆变器和接口电路 ?电路驱动。
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型号 标记/丝印/代码 厂家 批号 封装 数量 描述 详细资料
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