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AO6602
 型号:  AO6602
 标记/丝印/代码/打字:  
 厂家:  AOS
 封装:  SOT-163/SOT23-6/TSOP6
 批号:  10+NOPB
 库存数量:  3000
 所属分类:  场效应管FET
  复合场效应管Complex FET
    MOSFET N沟道+P沟道MOSFET N-Channel and P-Channel
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AO6602  的参数

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 30V/-30V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 20V
最大漏极电流Id Drain Current 3.1A/-2.7A
源漏极导通电阻Rds Drain-Source On-State Resistance 88m?@ VGS = 4.5V,ID =2A
开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage 1~3V
耗散功率Pd Power Dissipation 1.15W
Description & Applications Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AO6602 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. The complementary MOSFETs form a high-speed power inverter, suitable for a multitude of applications. Standard Product AO6602 is Pb-free (meets ROHS & Sony 259 specifications). AO6602L is a Green Product ordering option. AO6602 and AO6602L are electrically identical.
描述与应用 互补增强模式场效应晶体管 概述 AO6602采用先进沟道技术,提供优良的RDS(ON)和栅极电荷低。互补MOSFET形成一个高速的逆变电源,适合多种应用。标准产品AO6602是无铅(符合ROHS& 索尼259规格)。 AO6602L是一种绿色产品订购选项。 AO6602和AO6602L是电动相同。
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