PMSTA06 T1G 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
80V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
80V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
500mA/0.5A |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
100MHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
50 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
250mV/0.25V |
| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
200mW/0.2W |
| Description & Applications |
FEATURES ? High current (max. 500 mA) ? Low voltage (max. 80 V). APPLICATIONS ? Primarily intended for telephony and professional communication equipment. DESCRIPTION NPN transistor in a SOT323 plastic package. |
| 描述与应用 |
特点 ?高电流（最大500毫安） ?低电压（最大80 V）。 应用 ?主要用于电话和专业 通信设备。 说明 NPN晶体管在SOT323塑料包装。 |
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