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DMN2005K-7 DM 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
20V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
10v |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
300mA/0.3A |
| 源漏极导通电阻ΩRds
DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance |
1,7Ω/Ohm @200mA,2,7V |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
0.53-0.9V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
350mW/0.35W |
| Description & Applications |
Low On-Resistance ? Very Low Gate Threshold Voltage, 0.9V Max. ? Fast Switching Speed ? Low Input/Output Leakage ? Ultra-Small Surface Mount Package ? Lead Free By Design/RoHS Compliant (Note 2) ? "Green" Device (Note 4) ? ESD Protected Gate |
| 描述与应用 |
低导通电阻 ?非常低的栅极阈值电压，0.9V最大。 ?开关速度快 ?低输入/输出漏 ?超小型表面贴装封装 ?铅免费设计/ RoHS合规（注2） ?“绿色”设备（注4） ?ESD保护门 |
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相关型号列表 |
| 型号 |
标记/丝印/代码 |
厂家 |
批号 |
封装 |
数量 |
描述 |
详细资料 |
| DMN2005K-7 |
DM |
DIODES |
11+ROHS |
SOT-23/SC-59 |
0 |
场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
查看 |
| DMN2400UV-7 |
24N |
DIODES |
12+ROHS |
SOT-363 |
0 |
场效应管FET-复合场效应管Complex FET-MOSFET 双N沟道MOSFET Dual N-Channel |
查看 |
| DMN2004DWK-7 |
NABYO |
DIODES |
11+ROHS |
SOT-363 |
716 |
|
查看 |
| DMN2400UV-7 |
24N |
DIODES |
12+ROHS |
SOT-563 |
0 |
场效应管FET |
查看 |
| DMN2005K-7 |
DM |
DIODES |
11+ROHS |
SOT-23/SC-59 |
42000 |
场效应管FET |
查看 |
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