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BFS17LT1
 型号：  BFS17LT1
 标记/丝印/代码/打字：  E1D
 厂家：  MOTOROLA
 封装：  SOT-23/SC-59
 批号：  05+
 库存数量：  750
 所属分类：  三极管Bipolar Junction Transistors(BJT)
  NPN
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BFS17LT1 E1D 的参数
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) 25V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) 15V
集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) 25mA
截止频率fT Transtion Frequency(fT) 1.3GHz
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) 20~150
管压降VCE（sat） Collector-Emitter Saturation Voltage 400mV/0.4V
耗散功率Pc Power Dissipation 350mW/0.35W
Description & Applications NPN silicon High-Frequency transistor Designed primarily for use in high–gain, low–noise amplifier, oscillator and mixer applications. Packaged for thick or thin film circuits using surface mount components.
描述与应用 NPN硅高频晶体管 主要设计用于在高增益，低噪声放大器，振荡器和混频器应用中使用。包装厚膜或薄膜电路，采用表面贴装元件。
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