BFS17LT1 E1D 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
25V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
15V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
25mA |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
1.3GHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
20~150 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
400mV/0.4V |
| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
350mW/0.35W |
| Description & Applications |
NPN silicon High-Frequency transistor Designed primarily for use in high–gain, low–noise amplifier, oscillator and mixer applications. Packaged for thick or thin film circuits using surface mount components. |
| 描述与应用 |
NPN硅高频晶体管 主要设计用于在高增益，低噪声放大器，振荡器和混频器应用中使用。包装厚膜或薄膜电路，采用表面贴装元件。 |
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