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RTQ040P02
 型号：  RTQ040P02
 标记/丝印/代码/打字：  TZ
 厂家：  ROHM
 封装：  SOT-163/SOT23-6/TSMT6
 批号：  06NOPB
 库存数量：  150
 所属分类：  场效应管FET
  MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel
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RTQ040P02 TZ 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage -20V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage -12V
最大漏极电流Id Drain Current -4A
源漏极导通电阻Rds Drain-Source On-State Resistance 85m?@ VGS = -2.5V, ID = -2A
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage -0.7~-2V
耗散功率Pd Power Dissipation 1.25W
Description & Applications Features 1) Low On-resistance. 2) High Power Package. 3) High speed switching. 4) Low voltage drive. Applications DC-DC Converter
描述与应用 特点 1）低导通电阻。 2）高功率封装。 3）高速开关。 4）低电压驱动。 应用 DC-DC转换器
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型号 标记/丝印/代码 厂家 批号 封装 数量 描述 详细资料
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