BCW61DLT1 BD 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
32V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
32V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
100mA/0.1A |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
125MHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
350~700 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
350mV/0.35V |
| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
300mW/0.3W |
| Description & Applications |
general purpose transistor NPN Silicon |
| 描述与应用 |
通用晶体管 NPN硅 |
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