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2SJ646 J646 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
-30V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
20V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
-8A |
| 源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State
Resistance |
0.58Ω @-10A,-4V |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
-1.2--2.6V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
1W |
| Description & Applications |
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| 描述与应用 |
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| 技术文档PDF下载 |
在线阅读  |
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相关型号列表 |
| 型号 |
标记/丝印/代码 |
厂家 |
批号 |
封装 |
数量 |
描述 |
详细资料 |
| 2SJ646 |
J646 |
SANYO |
05+PB |
TO-252/DPAK/TP-FA |
0 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
查看 |
| 2SJ647 |
H22 |
NEC |
05+ |
SOT-323/SC70 |
3000 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
查看 |
| 2SJ648 |
H1 |
NEC |
04+nopb |
SOT-523 |
2000 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
查看 |
| 2SJ647 |
H22 |
NEC |
10+ROHS |
SOT-323/SC70 |
5700 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
查看 |
| 2SJ646 |
J646 |
SANYO |
06nopb |
TO-252/DPAK/TP-FA |
0 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
查看 |
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