SSM6L36FE LL4 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
20V/-20V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
10V/8V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
500mA/-330mA |
| 源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State Resistance |
630m?@ VGS = 5.0V, ID = 200mA/ 1310m?@ VGS = -4.5V, ID = -100mA |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
0.35~1.0V/-0.3~1.0V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
150mW/0.15W |
| Description & Applications |
TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon N / P Channel MOS Type ○ High-Speed Switching Applications ? 1.5-V drive ? Low ON-resistance Q1 Nch: Ron = 1.52Ω (max) (@VGS = 1.5 V) Ron = 1.14Ω (max) (@VGS = 1.8 V) Ron = 0.85Ω (max) (@VGS = 2.5 V) Ron = 0.66Ω (max) (@VGS = 4.5 V) Ron = 0.63Ω (max) (@VGS = 5.0 V) ? Q2 Pch: Ron = 3.60Ω (max) (@VGS = -1.5 V) Ron = 2.70Ω (max) (@VGS = -1.8 V) Ron = 1.60Ω (max) (@VGS = -2.8 V) Ron = 1.31Ω (max) (@VGS = -4.5 V) |
| 描述与应用 |
东芝场效应晶体管的硅N / P沟道MOS型 ○高速开关应用 ?1.5-V驱动器 ?低导通电阻Q1 N沟道：RON=1.52Ω（最大值）（@ VGS= 1.5 V） RON =1.14Ω（最大）（@ VGS=1.8 V） RON =0.85Ω（最大值）（@ VGS=2.5 V） RON =0.66Ω（最大值）（@ VGS=4.5 V） RON =0.63Ω（最大）（@ VGS= 5.0 V） ?P沟道：RON =3.60Ω（最大）（@ VGS=-1.5 V） RON =2.70Ω（最大值）（@ VGS=-1.8 V） RON =1.60Ω（最大值）（@ VGS=-2.8 V） RON =1.31Ω（最大值）（@ VGS= -4.5 V） |
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