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热门查询： MMz TC7USB221WBG MN11 ZSH5M TK11233CM TK11233CMI TK11233CMIL EXCML16A270U S-1132B33-M5 DSC20 BZD27C13P-GS NFR21GD1004702L P1005 LEM3225 uPA803 R1180Q151B RN5RZ33A S-818A50AUC DTZTT1 3N1
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SSM6L36FE
 型号：  SSM6L36FE
 标记/丝印/代码/打字：  LL4
 厂家：  TOSHIBA
 封装：  SOT-563/ES6
 批号：  09+ROHS
 库存数量：  2500
 所属分类：  场效应管FET
  复合场效应管Complex FET
    MOSFET N沟道+P沟道MOSFET N-Channel and P-Channel
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SSM6L36FE LL4 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 20V/-20V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 10V/8V
最大漏极电流Id Drain Current 500mA/-330mA
源漏极导通电阻Rds Drain-Source On-State Resistance 630m?@ VGS = 5.0V, ID = 200mA/ 1310m?@ VGS = -4.5V, ID = -100mA
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage 0.35~1.0V/-0.3~1.0V
耗散功率Pd Power Dissipation 150mW/0.15W
Description & Applications TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon N / P Channel MOS Type ○ High-Speed Switching Applications ? 1.5-V drive ? Low ON-resistance Q1 Nch: Ron = 1.52Ω (max) (@VGS = 1.5 V) Ron = 1.14Ω (max) (@VGS = 1.8 V) Ron = 0.85Ω (max) (@VGS = 2.5 V) Ron = 0.66Ω (max) (@VGS = 4.5 V) Ron = 0.63Ω (max) (@VGS = 5.0 V) ? Q2 Pch: Ron = 3.60Ω (max) (@VGS = -1.5 V) Ron = 2.70Ω (max) (@VGS = -1.8 V) Ron = 1.60Ω (max) (@VGS = -2.8 V) Ron = 1.31Ω (max) (@VGS = -4.5 V)
描述与应用 东芝场效应晶体管的硅N / P沟道MOS型 ○高速开关应用 ?1.5-V驱动器 ?低导通电阻Q1 N沟道：RON=1.52Ω（最大值）（@ VGS= 1.5 V） RON =1.14Ω（最大）（@ VGS=1.8 V） RON =0.85Ω（最大值）（@ VGS=2.5 V） RON =0.66Ω（最大值）（@ VGS=4.5 V） RON =0.63Ω（最大）（@ VGS= 5.0 V） ?P沟道：RON =3.60Ω（最大）（@ VGS=-1.5 V） RON =2.70Ω（最大值）（@ VGS=-1.8 V） RON =1.60Ω（最大值）（@ VGS=-2.8 V） RON =1.31Ω（最大值）（@ VGS= -4.5 V）
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