AT-31625-TR1 AT316 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
16V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
9.5V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
320mA/0.32A |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
1.9GHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
80~330 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
4.8V |
| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
28mW |
| Description & Applications |
4.8 V NPN Common Emitter Medium Power Output Transistor Features ? 4.8 Volt Operation ? +28.0 dBm Pout @ 900 MHz,Typ. ? 70% Collector Efficiency @? 900 MHz, Typ. ? 9 dB Power Gain @ 900 MHz, Typ. ? -31 dBc IMD3 @ Pout of 21? dBm per Tone, 900? MHz,Typ. ? 50% Smaller than SOT-223 Package Applications ? Medium Power Driver Device for Cellular/PCS,ISM 900, WLAN ? Output Power Device for ISM 900, Cordless, WLAN |
| 描述与应用 |
4.8 V共发射极NPN 中等输出功率晶体管 特点 ?4.8伏操作 ?+28.0 dBm功率输出@900 MHz的典型。 ?70％的集热效率?900兆赫，典型值。 ?9 dB功率增益@ 900 MHz时，典型值。 ?-31 dBc的IMD3@功率输出，21?dBm每个音，900?兆赫，典型值。 ?50％小于SOT-223封装 应用 ?中等功率驱动器 蜂窝/ PCS，ISM900，WLAN设备 ?输出功率ISM900，无绳电话，无线局域网设备 |
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