|
|
|
型号: |
FDN304PZ |
标记/丝印/代码/打字: |
04Z |
厂家: |
FAIRCHILD |
封装: |
SOT-23/SC-59 |
批号: |
06NOPB |
库存数量: |
0 |
所属分类: |
场效应管FET MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
技术文档PDF: |
在线阅读 |
|
|
在线购买 |
|
|
|
|
FDN304PZ 04Z 的参数 |
最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
-20V |
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
8V |
最大漏极电流Id
Drain Current |
-2.4A |
源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State
Resistance |
0.036Ω @-2.4A,-4.5V |
开启电压Vgs(th)
Gate-Source Threshold Voltage |
-0.4--1.5V |
耗散功率Pd
Power Dissipation |
500mW/0.5W |
Description & Applications |
? Fast switching speed ? High performance trench technology for extremely low RDS(ON) ? SuperSOT TM -3 provides low RDS(ON) and 30% higher power handling capability than SOT23 in the same footprint |
描述与应用 |
?开关速度快 ?高性能沟道技术极 低RDS(ON) ?的SuperSOT TM-3提供低RDS(ON)和30%上 在相同的空间比SOT23封装的功率处理能力 |
技术文档PDF下载 |
在线阅读 |
|
|
|
|
相关型号列表 |
型号 |
标记/丝印/代码 |
厂家 |
批号 |
封装 |
数量 |
描述 |
详细资料 |
FDN302P |
302 |
FAIRCHILD |
10+ROHS |
SOT-23/SC-59 |
0 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
查看 |
FDN302P |
302 |
FAIRCHILD |
05+ |
SOT-23/SC-59 |
780 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
查看 |
FDN303 |
303 |
FAIRCHILD |
05+ |
SOT-23 |
20 |
未分类 |
查看 |
FDN304P |
304P |
FAIRCHILD |
08+NOPB |
SOT-23/SC-59 |
0 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
查看 |
FDN304P |
304P |
FAIRCHILD |
05+ |
SOT-23/SC-59 |
2665 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
查看 |
FDN306P |
306 |
FAIRCHILD |
05+ |
SOT-23/SC-59 |
50 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
查看 |
FDN306P |
306 |
FAIRCHILD |
06+ |
SOT-23/SC-59 |
0 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
查看 |
FDN304PZ |
04Z |
FAIRCHILD |
06NOPB |
SOT-23/SC-59 |
0 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
查看 |
FDN304PZ |
04Z |
FAIRCHILD |
06NOPB |
SOT-23/SC-59 |
0 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
查看 |
|
|
|