|
|
|
|
|
|
|
2SK316-Q 1KQ 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
10v |
| 栅源极击穿电压V(BR)GS
Gate-Source Voltage |
-10v |
| 漏极电流(Vgs=0V)IDSS
Drain Current |
14~24ma |
| 关断电压Vgs(off)
Gate-Source Cut-off Voltage |
-3v |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
200mW/0.2W |
| Description & Applications |
?Silicon N-Channel Junction FET |
| 描述与应用 |
?硅N沟道结型场效应管 |
| 技术文档PDF下载 |
在线阅读  |
|
|
|
|
|
相关型号列表 |
| 型号 |
标记/丝印/代码 |
厂家 |
批号 |
封装 |
数量 |
描述 |
详细资料 |
| 2SK316-Q |
KQ |
Panasonic |
05+ |
SOT-23/SC-59 |
9000 |
场效应管FET-结型（JFET）-N沟道JFET N-Channel |
查看 |
| 2SK316-Q |
1KQ |
Panasonic |
05+ |
SOT-23/SC-59 |
1800 |
场效应管FET-结型（JFET）-N沟道JFET N-Channel |
查看 |
|
|
|
