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1N5819M-13 的参数 |
| 反向电压Vr
Reverse Voltage |
40V |
| 平均整流电流Io
AVerage Rectified Current |
1A |
| 最大正向压降VF
Forward Voltage(Vf) |
0.9 |
| 最大耗散功率Pd
Power dissipation |
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| Description & Applications |
1.0A SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER.
* High Current Capability.
* Low Forward Voltage Drop.
* Guard Ring for Transient Protection.
* Glass Package for High Reliability. |
| 描述与应用 |
1.0A表面装载肖特基整流器。
*高电流能力。
*低正向压降。
*保护环的瞬态保护。
*高可靠性的玻璃包装。 |
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在线阅读  |
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相关型号列表 |
| 型号 |
标记/丝印/代码 |
厂家 |
批号 |
封装 |
数量 |
描述 |
详细资料 |
| 1N5817MT-I |
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DIODES |
06+ |
MELF |
213 |
二极管Diodes-肖特基势垒二极管SBDSchottky Barrier Diodes-单管Single |
查看 |
| 1N5819HW-7 |
SL |
DIODES |
05+NOPB200 |
SOD-123/1206 |
3240 |
二极管Diodes-肖特基势垒二极管SBDSchottky Barrier Diodes-单管Single |
查看 |
| 1N5819HW-7-F |
SL |
DIODES |
07NOPB |
SOD-123/1206 |
0 |
二极管Diodes-肖特基势垒二极管SBDSchottky Barrier Diodes-单管Single |
查看 |
| 1N5818M |
|
FRANCE |
05+ |
|
160 |
二极管Diodes-肖特基势垒二极管SBDSchottky Barrier Diodes-单管Single |
查看 |
| 1N5819M-13 |
|
DIODES |
06+ |
1WR |
15080 |
二极管Diodes-肖特基势垒二极管SBDSchottky Barrier Diodes |
查看 |
| 1N5817LT1 |
5 |
ON |
05+ |
|
2500 |
二极管Diodes-肖特基势垒二极管SBDSchottky Barrier Diodes-单管Single |
查看 |
| 1N5819M-13 |
|
DIODES |
06+ |
1WR |
5000 |
二极管Diodes |
查看 |
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