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BSC072N03LDG
 型号：  BSC072N03LDG
 标记/丝印/代码/打字：  072N03LD
 厂家：  INFINEON
 封装：  TDSON-8
 批号：  1117+NOPB
 库存数量：  0
 所属分类：  场效应管FET
  复合场效应管Complex FET
    MOSFET 双N沟道MOSFET Dual N-Channel
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BSC072N03LDG 072N03LD 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 30V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 20V
最大漏极电流Id Drain Current 20A
源漏极导通电阻Rds Drain-Source On-State Resistance 7.2m?@ VGS = 10V,ID = 20A
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage 1~1.22
耗散功率Pd Power Dissipation 57W
Description & Applications Features ? Dual N-channel, logic level ? Fast switching MOSFETs for SMPS ? Optimized technology for DC/DC converters ? Qualified according to JEDEC for target applications ? Excellent gate charge product ? Very low on-resistance R DS(on) ? Superior thermal resistance ? 100% avalanche tested ? Pb-free plating; RoHS compliant ? Halogen-free according to IEC61249-2-21
描述与应用 特点 ?双N沟道逻辑电平 ?快速开关MOSFET的开关电源 ?优化技术的DC / DC转换器 ?符合JEDEC为目标的应用程序 ?优秀的栅极电荷乘积 ?非常低的导通电阻R DS（ON） ?卓越的热电阻 ?100％雪崩测试 ?无铅电镀，符合RoHS标准 ?无卤素根据IEC61249-2-21
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