MMBTA42LT1 1D 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
300V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
300V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
500mA/0.5A |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
50Mhz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
40 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
500mV/0.5V |
| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
225mW/0.225W |
| Description & Applications |
High Voltage Transistors NPN Silicon Pb?Free Package May be Available. The G?Suffix Denotes a Pb?Free Lead Finish |
| 描述与应用 |
高电压晶体管 NPN硅 可能提供无铅封装。 G-后缀表示 无铅牵头完成 |
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