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HN4B101J
 型号：  HN4B101J
 标记/丝印/代码/打字：  5K
 厂家：  TOSHIBA
 封装：  SOT-153/SMV
 批号：  10+ROHS
 库存数量：  0
 所属分类：  三极管Bipolar Junction Transistors(BJT)
  复合三极管Complex Bipolar Transistor
    PNP+NPN
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HN4B101J 5K 的参数
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) -30V/50V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) -30V/30V
集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) -1A/1.2A
截止频率fT Transtion Frequency(fT)
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) 200~500
管压降VCE（sat） Collector-Emitter Saturation Voltage -200mV/170mV
耗散功率Pc Power Dissipation 550mW
Description & Applications Features ? TOSHIBA Transistor Silicon PNP / NPN Epitaxial Type (PCT Process) ? Small footprint due to a small and thin package ? High DC current gain : hFE = 200 to 500 (IC = ?0.12 A) ? Low collector-emitter saturation: PNP VCE (sat) = ?0.20 V (max): NPN VCE (sat) = 0.17 V (max) ? High-speed switching : PNP tf = 45 ns (typ.): NPN tf= 50 ns (typ.) ? MOS Gate Drive Applications ，Switching Applications
描述与应用 特点 ?东芝晶体管的硅PNP/ NPN外延型（PCT工艺） ?由于占地面积小，小而薄的封装 ?高直流电流增益：HFE=200?500（IC= -0.12） ?低集电极 - 发射极饱和：PNP VCE（星期六）=-0.20 V（最大值）：NPN VCE（星期六）= 0.17 V（最大值） ?高速开关：PNP tf=45 ns（典型值）：NPN tf= 50 ns（典型值） ?MOS栅极驱动应用，开关应用
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