RTAN140M QB 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
40V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
40v |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
400mA/0.4A |
| 基极输入电阻R1
Input Resistance(R1) |
10KΩ/Ohm |
| 基极-发射极输入电阻R2
Base-Emitter Resistance(R2) |
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| 电阻比(R1/R2)
Resistance Ratio |
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| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
820 |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
36MHz |
| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
0.2W/200mW |
| Description & Applications |
?Built-in bias resistor (R1=10kΩ) ?Small package for easy mounting. ?High reverse hFE ?Small collector to emitter saturatin voltage. VCE(sat)=10mV(TYP)（@IC=10mA/IB=0.5mA） Low on Resistane Ron=0.94Ω(TYP.)（@VI=7V） |
| 描述与应用 |
内置偏置电（R1=10KΩ） ·易于安装的小型装 ·高反向HFE ·小集电极到发射极饱和电压。 VCE（星期六）=10mV的（典型值）（@ IC=10mA/IB=0.5毫安） 低导通电阻 罗恩=0.94Ω（典型值）（@ VI= 7V） |
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