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SI3456CDV-T1-GE3
 型号：  SI3456CDV-T1-GE3
 标记/丝印/代码/打字：  AP
 厂家：  VISHAY
 封装：  SOT-163/SOT23-6/TSOP-6
 批号：  10+ROHS
 库存数量：  95900
 所属分类：  场效应管FET
  MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel
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SI3456CDV-T1-GE3 AP 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 30V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 20V
最大漏极电流Id Drain Current 7.7A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance 0.034Ω/Ohm @6.1A,10V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage 1.2-3V
耗散功率Pd Power Dissipation 3.3W
Description & Applications N沟道30-V（D-S）的MOSFET FEATURES ? TrenchFET Power MOSFET
描述与应用 N沟道30-V（D-S）的MOSFET 功率MOSFET
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