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型号: |
2SK3064GOLSO |
标记/丝印/代码/打字: |
2D |
厂家: |
Panasonic |
封装: |
SOT-323/SC-70 |
批号: |
08+NOPB |
库存数量: |
12000 |
所属分类: |
场效应管FET MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
技术文档PDF: |
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2SK3064GOLSO 2D 的参数 |
最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
30V |
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
20V |
最大漏极电流Id
Drain Current |
100mA/0.1A |
源漏极导通电阻ΩRds
DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance |
30Ω/Ohm @10mA,5V |
开启电压Vgs(th)
Gate-Source Threshold Voltage |
1-2V |
耗散功率Pd
Power Dissipation |
150mW/0.15W |
Description & Applications |
Silicon MOS FETs (Small Signal) Silicon N-Channel MOS FET Secondary battery pack (Li ion battery, etc.) For switching Features Silicon N-Channel MOS FET Secondary battery pack (Li ion battery, etc.) For switching High-speed switching S-mini type package, allowing downsizing of the sets and automatic insertion through the tape/magazine packing. Low-voltage drive (Vth: ?1 to 2V) Low Ron |
描述与应用 |
硅MOS场效应管(小信号) 硅N沟道MOS FET 对于开关的二次电池(锂离子电池等) 特性 硅N沟道MOS FET 二次电池(锂离子电池等) 用于开关 高速开关 S-迷你型包装,使瘦身套和通过自动插入磁带/盒包装。 低电压驱动(VTH:-1至2V) 低Ron |
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相关型号列表 |
型号 |
标记/丝印/代码 |
厂家 |
批号 |
封装 |
数量 |
描述 |
详细资料 |
2SK3064 |
2D |
Panasonic |
05+ |
SOT-323/SC-70 |
4750 |
场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
查看 |
2SK3064 |
2D |
Panasonic |
05+ |
SOT-323/SC-70 |
18000 |
场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
查看 |
2SK3065 |
KE |
ROHM |
07nopb |
SOT-89/SC-62/MPT3 |
0 |
场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
查看 |
2SK3065 |
KE |
ROHM |
05+ |
SOT-89/SC-62/MPT3 |
100 |
场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
查看 |
2SK3064GOLSO |
2D |
Panasonic |
08+NOPB |
SOT-323/SC-70 |
12000 |
场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
查看 |
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