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PMN38EN
 型号：  PMN38EN
 标记/丝印/代码/打字：  38
 厂家：  NXP/PHILIPS
 封装：  SOT-163/TSOP-6/SC-74
 批号：  10+ROHS
 库存数量：  40000
 所属分类：  场效应管FET
  MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel
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PMN38EN 38 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 30V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 20V
最大漏极电流Id Drain Current 5.4A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage
耗散功率Pd Power Dissipation 1.75W
Description & Applications N-channel TrenchMOS logic level FET General description Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. Logic level threshold Very fast switching Low threshold voltage Surface-mounted package
描述与应用 TrenchMOS逻辑电平N沟道FET 一般说明 逻辑电平N沟道增强型场效应晶体管（FET）在一个塑料 包装使用TrenchMOS技术 逻辑电平阈值 开关速度非常快 低阈值电压 表面贴装封装
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型号 标记/丝印/代码 厂家 批号 封装 数量 描述 详细资料
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