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MMBF4416A GBG 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
35v |
| 栅源极击穿电压V(BR)GS
Gate-Source Voltage |
-35v |
| 漏极电流(Vgs=0V)IDSS
Drain Current |
5~15ma |
| 关断电压Vgs(off)
Gate-Source Cut-off Voltage |
-2.5~-6v |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
225mW/0.225W |
| Description & Applications |
?N-Channel RF Amplifiers ?This device is designed for RF amplifiers. |
| 描述与应用 |
?N沟道RF放大器 该设备是专为RF放大器。 |
| 技术文档PDF下载 |
在线阅读  |
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相关型号列表 |
| 型号 |
标记/丝印/代码 |
厂家 |
批号 |
封装 |
数量 |
描述 |
详细资料 |
| MMBF4416LT1 |
M6A |
ON |
05+ |
SOT-23/SC-59 |
0 |
场效应管FET-结型（JFET）-N沟道JFET N-Channel |
查看 |
| MMBF4416 |
GA |
FAIRCHILD |
08+ |
SOT-23/SC-59 |
0 |
场效应管FET-结型（JFET）-N沟道JFET N-Channel |
查看 |
| MMBF4416A |
GBG |
FAIRCHILD |
08+ROHS |
SOT-23/SC-59 |
600 |
场效应管FET-结型（JFET）-N沟道JFET N-Channel |
查看 |
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