QS6U24 U24 的参数 |
| MOSFET 类型
Type |
P沟道 P-Channel |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
-30V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
-20V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
1A |
| 源漏极导通电阻Rds(on)
Drain-Source On-State Resistance |
400m?@ VGS =-10V, ID =-1A |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
-1.0~-2.5V |
| DIODE 类型
Type |
肖特基二极管SBD Schottky Barrier Diodes |
| 反向电压Vr
Reverse Voltage |
20V |
| 平均整流电流Io
Average Rectified Current |
700mA/0.7A |
| 最大正向压降VF
Forward Voltage(Vf) |
0.49V@IF=700mA |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
900mW/0.9W |
| Description & Applications |
4V Drive Pch+SBD MOS FET Features 1) The QS6U24 combines Pch MOS FET with a Schottky barrier diode in a TSMT6 package. 2) Low on-state resisternce with a fast switching. 3) Low voltage drive (4V). 4) Built-in schottky barrier diode has low forward voltage. Applications Load switch, DC/DC conversion |
| 描述与应用 |
4V驱动P沟道+ SBD MOS FET的 特点 1）QS6U24结合P沟道MOS FET的 TSMT6封装的肖特基势垒二极管。 2）低通态resisternce的具有高速开关。 3）低电压驱动（4V）。 4）内置的肖特基势垒二极管具有低正向电压。 应用 负载开关，DC/ DC转换 |
| 技术文档PDF下载 |
在线阅读  |
