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MTM761230LBF
 型号:  MTM761230LBF
 标记/丝印/代码/打字:  9C
 厂家:  Panasonic
 封装:  SOT-323/SC70
 批号:  10+NOPB
 库存数量:  1500
 所属分类:  场效应管FET
  MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel
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MTM761230LBF 9C 的参数

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage -20V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 10V
最大漏极电流Id Drain Current -3A
源漏极导通电阻Rds Drain-Source On-State Resistance 0.036Ω @-1A,-4V
开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage -0.4--1.3V
耗散功率Pd Power Dissipation 700mW/0.7W
Description & Applications Features Low voltage drive (1.8 V, 2.5 V, 4 V) Realization of low on-resistance, using extremely ?ne process Contributes to miniaturization of sets, reduction of component count. Eco-friendly Halogen-free package
描述与应用 低电压驱动(1.8 V,2.5 V,4 V) 实现低导通电阻,用极其精细的过程 集小型化,减少元件数量。 环保无卤素封装
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