SSM5G10TU KET 的参数 |
| MOSFET 类型
Type |
P沟道 P-Channel |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
-20V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
-8V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
-1.5A |
| 源漏极导通电阻Rds(on)
Drain-Source On-State Resistance |
430m?@ VGS = -1.8V, ID = -100mA |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
-0.3~-1.0V |
| DIODE 类型
Type |
肖特基二极管SBD Schottky Barrier Diodes |
| 反向电压Vr
Reverse Voltage |
12V |
| 平均整流电流Io
Average Rectified Current |
500mA/0.5A |
| 最大正向压降VF
Forward Voltage(Vf) |
0.36V@IF=700mA |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
800mW/0.8W |
| Description & Applications |
Silicon P Channel MOS Type (U-MOSII)/Silicon Epitaxial Schottky Planar Diode Feature DC-DC Converter Applications ? 1.8-V drive ? Combines a P-channel MOSFET and a Schottky barrier diode in one package. ? Low RDS(ON) and Low VF |
| 描述与应用 |
硅P沟道MOS类型（U-MOSII）/硅外延平面肖特基二极管 特点 DC-DC转换器应用 ?1.8-V驱动器 ?结合一个P沟道MOSFET和肖特基势垒二极管在一个封装。 ?低RDS（ON）和低VF |
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