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型号: |
2SK3857TK-B |
标记/丝印/代码/打字: |
9B |
厂家: |
TOSHIBA |
封装: |
SOT-623/TESM3 |
批号: |
0637+ROHS |
库存数量: |
40000 |
所属分类: |
场效应管FET 结型(JFET)-N沟道JFET N-Channel |
技术文档PDF: |
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2SK3857TK-B 9B 的参数 |
最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
20v |
栅源极击穿电压V(BR)GS
Gate-Source Voltage |
-20v |
漏极电流(Vgs=0V)IDSS
Drain Current |
0.14~0.35ma |
关断电压Vgs(off)
Gate-Source Cut-off Voltage |
-0.1~-1v |
耗散功率Pd
Power Dissipation |
100mW/0.1W |
Description & Applications |
?Field Effect Transistor Silicon N Channel Junction Type Application for Ultra-compact ECM |
描述与应用 |
?场效应晶体管的硅N沟道结型 超紧凑ECM应用 |
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相关型号列表 |
型号 |
标记/丝印/代码 |
厂家 |
批号 |
封装 |
数量 |
描述 |
详细资料 |
2SK3857TK-A |
9A |
TOSHIBA |
04+ |
SOT-623/TESM3 |
3500 |
场效应管FET-结型(JFET)-N沟道JFET N-Channel |
查看 |
2SK38620TL |
5D |
Panasonic |
04+NOPB |
SOT-523 |
3450 |
场效应管FET-结型(JFET)-N沟道JFET N-Channel |
查看 |
2SK386209L(2SK38620TL) |
5D |
Panasonic |
04NOPB |
SOT-523 |
10000 |
场效应管FET-结型(JFET)-N沟道JFET N-Channel |
查看 |
2SK3857TK-B |
9B |
TOSHIBA |
08NOPB |
SOT-623/TESM3 |
210000 |
场效应管FET-结型(JFET)-N沟道JFET N-Channel |
查看 |
2SK3857TK-B |
9B |
TOSHIBA |
0637+ROHS |
SOT-623/TESM3 |
40000 |
场效应管FET-结型(JFET)-N沟道JFET N-Channel |
查看 |
2SK3862GULBF |
5D |
Panasonic |
08+ROHS |
sot-723 |
4000 |
场效应管FET-结型(JFET)-N沟道JFET N-Channel |
查看 |
2SK389FM-BL |
K389BL |
TOSHIBA |
12+ROHS |
SOT-183 |
0 |
场效应管FET-结型(JFET)-N沟道JFET N-Channel |
查看 |
2SK389FM-BL |
K389BL |
TOSHIBA |
12+ROHS |
SOT-183 |
0 |
场效应管FET-结型(JFET)-N沟道JFET N-Channel |
查看 |
2SK3866(DSKTJ04S01AZ) |
4S |
PANASONIC |
14+ROHS |
SOT-923 |
270000 |
场效应管FET |
查看 |
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