|
|
|
|
|
|
|
SI2302ADS-T1-E3 2A 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
20V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
8V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
2.4A |
| 源漏极导通电阻ΩRds
DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance |
0.115Ω/Ohm @3.1A,2.5V |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
0.65-1.2V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
900mW/0.9W |
| Description & Applications |
N-Channel 1.25-W, 2.5-V MOSFET |
| 描述与应用 |
N沟道1.25-W， 2.5 V MOSFET |
| 技术文档PDF下载 |
在线阅读  |
|
|
|
|
|
相关型号列表 |
| 型号 |
标记/丝印/代码 |
厂家 |
批号 |
封装 |
数量 |
描述 |
详细资料 |
| SI2302ADS-T1-E3 |
2A |
VISHAY |
06NOPB |
SOT-23/SC-59 |
0 |
场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
查看 |
|
|
|
