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HN1K03FU
 型号:  HN1K03FU
 标记/丝印/代码/打字:  KP
 厂家:  TOSHIBA
 封装:  SOT-363/SC70-6/UF6
 批号:  05+
 库存数量:  3000
 所属分类:  场效应管FET
  复合场效应管Complex FET
    MOSFET 双N沟道MOSFET Dual N-Channel
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HN1K03FU KP 的参数

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 20V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 10V
最大漏极电流Id Drain Current 100mA/0.1A
源漏极导通电阻Rds Drain-Source On-State Resistance 12?@ VGS = 2.5V, ID =10mA
开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage 0.5~1.5V
耗散功率Pd Power Dissipation 200mW/0.2W
Description & Applications High Speed Switching Applications Analog Switch Applications Hign input impedance Low gate threshold voltage Excellent switching times Small package Enhancement-mode
描述与应用 高速开关应用 模拟开关应用 戒严输入阻抗 低栅极阈值电压 优良的开关时间 小型封装 增强模式
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