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CHT5551XPT
 型号:  CHT5551XPT
 标记/丝印/代码/打字:  XDN
 厂家:  CENTRAL
 封装:  SOT-89
 批号:  06+
 库存数量:  800
 所属分类:  三极管Bipolar Junction Transistors(BJT)
  NPN
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CHT5551XPT XDN 的参数

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO)
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) 160V
集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) 600mA/0.6A
截止频率fT Transtion Frequency(fT) 100MHz
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) 80~250
管压降VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage 200mV/0.2V
耗散功率Pc Power Dissipation
Description & Applications SURFACE MOUNT DEVICES FOR HYBRID APPLICATIONS
描述与应用 表面贴装器件的混合应用程序
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型号 标记/丝印/代码 厂家 批号 封装 数量 描述 详细资料
CHT589PT/fmmt589 589 台产 05+ SOT-23 0 三极管Bipolar Junction Transistors(BJT)-PNP 查看
CHT589PT/fmmt589 589 台产 05+ SOT-23 26000 三极管Bipolar Junction Transistors(BJT)-PNP 查看
CHT5551XPT XDN CENTRAL 06+ SOT-89 800 三极管Bipolar Junction Transistors(BJT)-NPN 查看
CHT2222TPT NT CENTRAL 06+ SOT-523 1400 三极管Bipolar Junction Transistors(BJT)-NPN 查看
CHT84PT ZT 台产 11+ SOT-23 0 查看

 

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