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SSM6P41FE
 型号：  SSM6P41FE
 标记/丝印/代码/打字：  PP3
 厂家：  TOSHIBA
 封装：  SOT-563/ES6
 批号：  10+ROHS
 库存数量：  4000
 所属分类：  场效应管FET
  复合场效应管Complex FET
    MOSFET 双P沟道MOSFET Dual P-Channel
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SSM6P41FE PP3 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage -20V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 8V
最大漏极电流Id Drain Current -720mA/-0.72A
源漏极导通电阻Rds Drain-Source On-State Resistance 300m?@ VGS = -4.5V, ID = -400mA
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage -0.3~-1.0V
耗散功率Pd Power Dissipation 150mW/0.15W
Description & Applications TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type ○ Power Management Switches ? 1.5-V drive ? Low ON-resistance : Ron = 1.04 Ω (max) (@VGS = -1.5 V) : Ron = 0.67 Ω (max) (@VGS = -1.8 V) : Ron = 0.44 Ω (max) (@VGS = -2.5 V) : Ron = 0.30 Ω (max) (@VGS = -4.5 V)
描述与应用 东芝场效应晶体管硅P沟道MOS类型 ○电源管理开关 ?1.5-V驱动器 ?低导通电阻：RON= 1.04Ω（最大值）（@ VGS=-1.5 V） ：RON =0.67Ω（最大）（@ VGS=-1.8 V） ：RON =0.44Ω（最大）（@ VGS=-2.5 V） ：RON =0.30Ω（最大）（@ VGS=-4.5 V）
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