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HRB0103BTR E2 的参数 |
| 反向电压Vr
Reverse Voltage |
30V |
| 平均整流电流Io
AVerage Rectified Current |
100mA/0.1A |
| 最大正向压降VF
Forward Voltage(Vf) |
440mV/0.44V |
| 最大耗散功率Pd
Power dissipation |
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| Description & Applications |
? Low forward voltage drop and suitable for high efficiency forward current. ? Silicon Schottky Barrier Diode for Low Voltage High Speed Switching, Rectifying ? Schottky Barrier Diodes in Series |
| 描述与应用 |
?低正向压降，适合高效率的正向电流。 ?硅肖特基二极管的低电压高速开关，整顿 ?串联的肖特基二极管 |
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在线阅读  |
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相关型号列表 |
| 型号 |
标记/丝印/代码 |
厂家 |
批号 |
封装 |
数量 |
描述 |
详细资料 |
| HRB0103BTR |
E2 |
HITACHI |
05+ |
SOT-323/SC-70 |
5200 |
二极管Diodes-肖特基势垒二极管SBDSchottky Barrier Diodes-双管串联1 Pair Series Connection |
查看 |
| HRB0103BTR |
E2 |
RENESAS |
05+ |
SOT-323/SC-70 |
0 |
二极管Diodes-肖特基势垒二极管SBDSchottky Barrier Diodes-双管串联1 Pair Series Connection |
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