SIA912DJ CAW 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
12V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
8V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
4.5A |
| 源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State Resistance |
63m?@ VGS =1.8V, ID =1.6A |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
0.4~1V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
6.5W |
| Description & Applications |
Dual N-Channel 12-V (D-S) MOSFET FEATURES ? Halogen-free ? TrenchFET Power MOSFET - Small Footprint Area APPLICATIONS ? Load Switch for Portable Applications |
| 描述与应用 |
双N沟道12-V（D-S）的MOSFET 特点 ??无卤 ??TrenchFET功率MOSFET - 小占位面积 应用 ??用于便携式应用的负载开关 |
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