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LMBR130T1G
 型号：  LMBR130T1G
 标记/丝印/代码/打字：  S3
 厂家：  LRC
 封装：  SOD-123/1206
 批号：  08nopb
 库存数量：  0
 所属分类：  二极管Diodes
  肖特基势垒二极管SBDSchottky Barrier Diodes
    单管Single
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LMBR130T1G S3 的参数
反向电压Vr Reverse Voltage 30V
平均整流电流Io AVerage Rectified Current 1A
最大正向压降VF Forward Voltage(Vf) 470mV/0.47V
最大耗散功率Pd Power dissipation
Description & Applications ? This device uses the Schottky Barrier principle with a large area metal?to?silicon power diode. Ideally suited for low voltage, high frequency rectification or as free wheeling and polarity protection ? Guardring for Stress Protection ? Low Forward Voltage ? Surface Mount Schottky Power Rectifier
描述与应用 ?金属硅功率二极管采用肖特基原则。非常适合于低电压，高频率整流，或者作为续流和极性保护。 ?Guardring应力保护 ?低正向电压 ?表面贴装肖特基功率整流器
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型号 标记/丝印/代码 厂家 批号 封装 数量 描述 详细资料
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