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BFS25A
 型号：  BFS25A
 标记/丝印/代码/打字：  N6t
 厂家：  NXP/PHILIPS
 封装：  SOT-323/SC-70
 批号：  1018NOPB
 库存数量：  0
 所属分类：  三极管Bipolar Junction Transistors(BJT)
  NPN
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BFS25A N6t 的参数
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) 8V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) 5V
集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) 6.5mA
截止频率fT Transtion Frequency(fT) 5GHz
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) 50~200
管压降VCE（sat） Collector-Emitter Saturation Voltage
耗散功率Pc Power Dissipation 325mW/0.325W
Description & Applications NPN 5 GHz wideband transistor FEATURES Low current consumption Low noise figure Gold metallization ensures excellent reliability SOT323 envelope. DESCRIPTION NPN transistor in a plastic SOT323 envelope.It is intended for low power amplifiers, oscillators and mixers particularly in RF portable communication equipment (cellular phones, cordless phones, pagers) up to 2 GHz.
描述与应用 NPN5 GHz的宽带晶体管 特点 低电流消耗 低噪声系数 黄金金属确保卓越的可靠性 SOT323信封。 说明 NPN晶体管在一个塑料SOT323 envelope.It适用于低功率的放大器， 特别是在RF便携式通信设备（手机，无绳电话，寻呼机）高达2 GHz的振荡器和混频器。
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