BFS520 N2 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
20V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
15V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
20mA |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
9Ghz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
60~250 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
|
| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
300mW/0.3W |
| Description & Applications |
NPN 9 GHz wideband transistor FEATURES High power gain Low noise figure High transition frequency Gold metallization ensures excellent reliability SOT323 envelope. DESCRIPTION NPN transistor in a plastic SOT323 envelope. |
| 描述与应用 |
NPN9 GHz的宽带晶体管 特点 高功率增益 低噪声系数 高转换频率 黄金金属确保卓越的可靠性 SOT323信封。 说明 NPN晶体管在一个塑料SOT323信封。 |
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