KSB1121-STF SZS 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
-30V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
?25V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
?600mA/- 0.6A |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
150MHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
140~280 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter SaturationVoltage |
-300mV/-0.3V |
| 耗散功率Pc
PoWer Dissipation |
500mW/0.5W |
| Description & Applications |
PNP epitaxial planar transistor High Current Driver Applications Large Current Capacity and Wide SOA Fast Switching Speed Complement to KSD1621 |
| 描述与应用 |
PNP外延平面晶体管 高电流驱动器应用 大电流容量和宽SOA 开关速度快 补充型KSD1621 |
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